1N6629
Microchip / Microsemi
主要参数包括产品 Rectifiers。
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芯片技术资料
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1N6629
Microchip Technology
主要参数包括原产国家或地区 美国、产品 Rectifiers。
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Microchip / Microsemi
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 75 A，采用 E-Package-2 封装。
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Microchip Technology
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 75 A，采用 E-Package-2 封装。
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Microchip / Microsemi
主要参数包括产品 Rectifiers，采用 E-PACKAGE 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersJAN1N6629/TR
Microchip / Microsemi
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 75 A，采用 E-Package-2 封装。
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Microchip / Microsemi
主要参数包括产品 Rectifiers，采用 D-5B-2 封装。
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Microchip / Microsemi
主要参数包括直径 3.42 mm、长度 6.1 mm、产品 Rectifiers、端接方式 Axial，采用 E-Package-2 封装。
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Microchip / Microsemi
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 75 A，采用 E-Package-2 封装。
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Microchip / Microsemi
主要参数包括高度 3.76 mm、长度 5.72 mm、产品 Rectifiers、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、宽度 3.76 mm，采用 D-5B-2 封装。
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