1N5948B
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 91 V、耗散功率（Pd） 1.25 W、电压容差 5 %、稳压管电流 16 mA、稳压管阻抗（Zz） 200 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-41-2 封装。
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1N5948B
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 91 V、耗散功率（Pd） 1.5 W、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 200 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-41-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N5948B BK
Central Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 91 V、耗散功率（Pd） 1.5 W、电压容差 5 %、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 200 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-41 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N5948B G
Microchip / Microsemi
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N5948B TR
Central Semiconductor
该型号为二极管，采用 DO-41 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N5948B3P-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.011640 oz。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N5948BG
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 91 V、耗散功率（Pd） 1.25 W、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 200 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-41-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N5948BP-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.011640 oz。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N5948BRLG
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 91 V、耗散功率（Pd） 3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 200 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-41-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N5948BRLG
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 91 V、耗散功率（Pd） 3 W、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 200 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-41-2 封装。
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