1N5313
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括最大稳压器电流 4.73 mA、最大限制电压 2.75 V、最大峰值工作电压 100 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 175 C、配置 Single，采用 DO-7-2 封装。
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1N5313
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括最大稳压器电流 4.73 mA、最大限制电压 2.75 V、最大峰值工作电压 100 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 175 C、配置 Single，采用 DO-7-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Current Regulator Diodes1N5313 TR
Central Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括型号别名 1N5313 PBFREE TR，采用 DO-35 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Current Regulator Diodes1N5313-1
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 175 C、配置 Single、长度 5.21 mm，采用 DO-7-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Current Regulator Diodes1N5313-1
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 175 C、配置 Single、原产国家或地区 美国、单件重量 0.007055 oz，采用 DO-7-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Current Regulator Diodes1N5313-1/TR
Microchip Technology
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Current Regulator Diodes1N5313-1E3
Microchip Technology
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Current Regulator Diodes1N5313-1E3/TR
Microchip Technology
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Current Regulator Diodes1N5313/TR
Microchip Technology
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Current Regulator Diodes1N5313UR-1
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，采用 DO-213AB-2 封装。
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