ChipSourceHub 美芯科技

搜索结果

技术资料参考

芯片技术资料

24 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

1N4970

Semtech

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 33 V、电压温度系数 0.095 %/C、稳压管电流 144 mA、稳压管阻抗(Zz) 10 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 175 C。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
查看技术资料

1N4970

Microchip / Microsemi

该型号为二极管。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
查看技术资料

1N4970

Microchip Technology

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 33 V、耗散功率(Pd) 5 W、电压容差 5 %、最大反向漏电流(Ir) 2 uA、稳压管阻抗(Zz) 10 Ω、最小工作温度 - 65 C,采用 E 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
查看技术资料

1N4970US

Microchip / Microsemi

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 33 V、耗散功率(Pd) 5 W、电压容差 5 %、电压温度系数 0.095 %/C、稳压管电流 2 uA、稳压管阻抗(Zz) 10 Ω,采用 D-5B-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
查看技术资料

1N4970US

Semtech

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 33 V、电压温度系数 0.095 %/C、稳压管电流 144 mA、稳压管阻抗(Zz) 10 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 175 C。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
查看技术资料

1N4970US

Microchip Technology

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 33 V、耗散功率(Pd) 5 W、电压容差 5 %、最大反向漏电流(Ir) 2 uA、稳压管阻抗(Zz) 10 Ω、最小工作温度 - 65 C,采用 D-5B-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
查看技术资料

1N4970US/TR

Microchip / Microsemi

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 33 V、耗散功率(Pd) 5 W、电压容差 5 %、电压温度系数 0.095 %/C、稳压管电流 144 mA、稳压管阻抗(Zz) 10 Ω,采用 D-5B-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
查看技术资料

1N4970US/TR

Microchip Technology

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 33 V、耗散功率(Pd) 5 W、电压容差 5 %、最大反向漏电流(Ir) 2 uA、稳压管阻抗(Zz) 10 Ω、最小工作温度 - 65 C,采用 D-5B-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
查看技术资料

JAN1N4970

Microchip / Microsemi

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 33 V、耗散功率(Pd) 5 W、电压容差 5 %、电压温度系数 0.095 %/C、稳压管电流 2 uA、稳压管阻抗(Zz) 10 Ω,采用 E-Package 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
查看技术资料

JAN1N4970C

Microchip / Microsemi

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 33 V、耗散功率(Pd) 5 W、电压容差 2 %、电压温度系数 0.095 %/C、稳压管电流 144 mA、稳压管阻抗(Zz) 10 Ω,采用 E-Package-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
查看技术资料