1N4963
Semtech
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 16 V、电压温度系数 0.08 %/C、稳压管电流 294 mA、稳压管阻抗（Zz） 3.5 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 175 C。
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1N4963
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 16 V、耗散功率（Pd） 5 W、电压容差 5 %、电压温度系数 0.08 %/C、稳压管电流 294 mA、稳压管阻抗（Zz） 3.5 Ω，采用 E-Package-2 封装。
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Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 16 V、耗散功率（Pd） 5 W、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 5 uA、稳压管阻抗（Zz） 3.5 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 E 封装。
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Semtech
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 16 V、电压温度系数 0.08 %/C、稳压管电流 294 mA、稳压管阻抗（Zz） 3.5 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 175 C。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4963US
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 16 V、耗散功率（Pd） 5 W、电压容差 5 %、电压温度系数 0.08 %/C、稳压管电流 5 uA、稳压管阻抗（Zz） 3.5 Ω，采用 D-5B-2 封装。
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Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 16 V、耗散功率（Pd） 5 W、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 5 uA、稳压管阻抗（Zz） 3.5 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 D-5B-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4963US/TR
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 16 V、耗散功率（Pd） 5 W、电压容差 5 %、电压温度系数 0.08 %/C、稳压管电流 294 mA、稳压管阻抗（Zz） 3.5 Ω，采用 D-5B-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4963US/TR
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 16 V、耗散功率（Pd） 5 W、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 5 uA、稳压管阻抗（Zz） 3.5 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 D-5B-2 封装。
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Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括直径 3.42 mm、长度 6.1 mm、端接方式 Axial，采用 E-Package-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesJAN1N4963C
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 16 V、耗散功率（Pd） 5 W、电压容差 2 %、电压温度系数 0.08 %/C、稳压管电流 294 mA、稳压管阻抗（Zz） 3.5 Ω，采用 E-Package-2 封装。
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