1N4937
Diotec Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-41 封装。
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1N4937 BK
Central Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-41 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N4937 BK PBFREE
Central Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 美国、产品 Rectifiers。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N4937 BK TIN/LEAD
Central Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-41-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N4937 TR
Central Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-41 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N4937 TR PBFREE
Central Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 美国、产品 Rectifiers。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N4937 TR TIN/LEAD
Central Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-41-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N4937-E3/53
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-204AL-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N4937-E3/54
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-204AL 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N4937-E3/73
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-204AL-2 封装。
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