1N4933
Diotec Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 50 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-41 封装。
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1N4933-E3/54
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括类型 Switching Diode、产品 Switching Diodes、峰值反向电压 50 V、最大浪涌电流 30 A、正向电流（If） 1 A、配置 Single，采用 DO-41 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching1N4933-E3/73
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括类型 Switching Diode、产品 Switching Diodes、峰值反向电压 50 V、最大浪涌电流 30 A、正向电流（If） 1 A、配置 Single，采用 DO-204AL-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching1N4933-T
Diodes Incorporated
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 50 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-41 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N4933-T
Rectron
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 50 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-41 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N4933G
ON Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 50 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-41 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N4933G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 50 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-41-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N4933G
onsemi
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 50 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-41 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N4933G R0
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 50 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-41 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N4933G R0G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括产品 Rectifiers。
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