1N4698
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 11 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 21.6 mA、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 175 C，采用 DO-35-2 封装。
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1N4698
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 11 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 50 nA、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 175 C，采用 DO-35 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4698 TR
Central Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括型号别名 1N4698 PBFREE TR，采用 DO-35 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4698 TR PBFREE
Central Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 11 V、耗散功率（Pd） 500 mW、最大反向漏电流（Ir） 50 nA、测试电流 50 uA、稳压管电流 21.6 mA，采用 DO-35 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4698 TR TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 11 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 50 nA、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 200 C，采用 DO-35-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4698/TR
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 11 V、耗散功率（Pd） 0.5 W、电压容差 5 %、稳压管电流 43.2 mA、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 175 C，采用 DO-204AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4698/TR
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 11 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 50 nA、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 175 C，采用 DO-204AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4698CUR-1e3/TR
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 11 V、耗散功率（Pd） 0.5 W、电压容差 2 %、稳压管电流 43.2 mA、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 175 C，采用 DO-213AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4698CUR-1e3/TR
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 11 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 2 %、最大反向漏电流（Ir） 50 nA、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 175 C，采用 DO-213AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4698UR-1/TR
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 11 V、耗散功率（Pd） 0.5 W、电压容差 5 %、稳压管电流 43.2 mA、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 175 C，采用 DO-213AA-2 封装。
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