1N4466
Semtech
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 11 V、耗散功率（Pd） 1.5 W、电压温度系数 0.073 %/C、稳压管电流 300 nA、稳压管阻抗（Zz） 6 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-41-2 封装。
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1N4466
Microchip / Microsemi
该型号为二极管。
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Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 11 V、耗散功率（Pd） 1.5 W、电压容差 5 %、稳压管阻抗（Zz） 6 Ω、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 175 C，采用 DO-41-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4466 BK
Central Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 11 V、耗散功率（Pd） 1.5 W、电压容差 5 %、稳压管电流 0.3 uA、稳压管阻抗（Zz） 6 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-41 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4466 TR
Central Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 11 V、耗散功率（Pd） 1.5 W、电压容差 5 %、稳压管电流 0.3 uA、稳压管阻抗（Zz） 6 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-41 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4466US
Semtech
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 11 V、电压温度系数 0.073 %/C、稳压管电流 130 mA、稳压管阻抗（Zz） 6 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 175 C。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4466US/TR
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 11 V、耗散功率（Pd） 1.5 W、电压容差 5 %、稳压管电流 130 mA、稳压管阻抗（Zz） 4 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 D-5A-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4466US/TR
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 11 V、耗散功率（Pd） 1.5 W、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 300 nA、稳压管阻抗（Zz） 4 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 D-5A-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesJAN1N4466
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括直径 2.16 mm、长度 4.06 mm、端接方式 Axial，采用 DO-41-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesJAN1N4466C
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括直径 2.16 mm、长度 4.06 mm、端接方式 Axial，采用 DO-41-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes